【本网讯】近日，我校通信工程学院射频和功率器件与集成团队在GaN射频器件领域取得重要突破，论文《Experimental Demonstration of S-Band GalliumNitride Heterojunction Bipolar Transistors WithPout= 16.5 kW/cm2》发表在国际权威期刊IEEE Electron Device Letters (简称IEEE EDL)上，并被遴选为该刊第47卷第7期（2026年7月）“Editors' Picks”文章。同时，该成果也引起了国内业界的广泛关注，被行业知名杂志《第三代半导体产业》专题报道。成都信息工程大学为论文第一完成单位，通信工程学院张连副教授为第一作者，罗小蓉教授和中国科学院半导体研究所张韵研究员为共同通信作者，电子科技大学与中国标准研究院共同参与了本工作。
图1.左图：成果被选为IEEE EDL第47卷第7期封面编辑推荐文章；右图：成果被国内行业媒体杂志《第三代半导体产业》报道。
GaN异质结双极晶体管（HBT）因其垂直结构，具有更高功率密度优势，可满足雷达远距离探测需求，在气象雷达、海事监测等领域有重要应用价值。但p型基区电阻高、欧姆接触困难等问题限制了其性能的发展。本团队创新提出无刻蚀损伤的选区外延发射极技术和尺寸微缩技术，解决了GaN HBT器件中高载流子输运性能的外延结构与小尺寸器件制备等国际性难题，最终GaN HBT最高截止频率和最大振荡频率fT/fmax达到18.2/7.01 GHz，刷新国际纪录。同时本文还首次进行了S波段的大信号负载测试，在2.4 GHz下器件射频输出功率密度高达16.5 kW/cm2，展示出垂直器件高功率密度优势，更标志着GaN HBT在S波段功率放大应用方面迈出了关键一步，为满足新一代通信、雷达探测系统的高功率需求提供了新的技术路径。
图2. (a)-(c) GaN HBT器件制备关键工艺及结构；(d)频率特性；(e)大信号负载测试的功率和效率性能；(f)频率数据统计对比图。
我校射频和功率器件与集成团队和电子科技大学功率集成技术团队紧密结合，实验资源共享，共同致力于半导体功率和射频器件与集成技术的研究。论文第一作者张连副教授曾任中国科学院半导体研究所副研究员，长期围绕第三代半导体材料与射频器件开展研究，相关成果分别发表于IEEE Electron Device Letters、Applied Physics Letters、IEEETransactions on Electron Devices等领域权威期刊。入校以来，张连副教授在学校支持下入选四川省重要人才计划、成都市人才计划，此次发表在IEEE EDL上的成果，是其入校后取得的一项突破性成果，充分彰显了我校电子信息特色学科建设的显著成效。
[1]原文链接：
链接：https://ieeexplore.ieee.org/document/11498329
