【本网讯】4月16日至19日，由中国电子学会主办的第十九届中国电子信息年会在武汉召开。来自全国的院士专家、企业代表、政府有关领导等近1000人参加本次大会。
我校携手电子科技大学共同主办了本次大会的“射频和功率器件与集成电路”专题论坛。论坛主席由中国科学院院士、西安电子科技大学郝跃教授，以及中国工程院院士、中国电子学会常务理事、北京航空航天大学苏东林教授共同担任。学校校长何建新教授出席论坛并发表致辞。近200位来自全国的专家学者、企业代表和高校师生参会，学校副校长罗小蓉教授和电子科技大学杨涛教授担任执行主席，并主持专题论坛。
郝跃致辞
郝跃代表论坛主席团致辞，热烈欢迎各位专家学者、产业界同仁以及青年师生参加论坛。他指出，射频和功率器件与集成电路是电子信息产业核心基石，在集成电路、轨道交通、先进能源等战略性新兴领域起着关键作用。他希望青年学者与学子能够勇担使命，成为核心技术攻关的生力军，为我国电子信息产业持续发展注入新鲜的血液。
苏东林致辞
苏东林在致辞中强调，射频和功率器件与集成电路作为电子信息产业的“核芯”，其技术创新与产业升级对电子信息产业的高质量发展至关重要。她呼吁高校、科研院所与企业进一步加强协同创新，共同促进学科交叉融合，重视基础课程教育，提升本科和研究生人才培养实践创新能力，聚焦应用需求，加速关键技术突破与产业化应用进程。
何建新致辞
何建新代表学校致辞时表示，我校和电子科技大学共同主办专题论坛并邀请院士专家们共同交流，意义深远。他提出三点希望：一是让论坛成为学术思想“策源地”，让专家学者们碰撞出原创思想的火花，破解理论技术瓶颈。二是搭建产教融合“连心桥”，深化校企合作，打通创新全链条，加速科技成果转化。三是建设青年人才“孵化器”，依托前辈专家的丰富经验，培育出胸怀“国之大者”、勇于创新的高水平后备力量，支撑产业长远发展。
罗小蓉主持论坛
罗小蓉担任本论坛执行主席主持了会议，并作了题为“面向高效电力电子应用的GaN/Si混并联开关”的专题报告，分享了团队在该领域的最新研究进展与深度思考。
专题论坛合影
圆桌论坛现场
论坛期间，来自北京大学、北京航空航天大学、电子科技大学、北京邮电大学、西安电子科技大学、复旦大学等高校和微电子领域领军企业的专家，围绕射频和功率器件与集成电路、宽禁带和超宽禁带半导体材料与器件、微波毫米波集成电路以及半导体产业应用等方向作了一系列高水平报告。此外，论坛还举行了“宽禁带·拓未来——宽禁带半导体射频与功率器件创新与发展高峰圆桌论坛”。专家们围绕宽禁带发展中的“技术突破与路径博弈”“应用需求与市场牵引”“产业生态与创新模式”等前沿议题进行研讨，希望通过研讨助推宽禁带半导体技术进步和产业发展。
学校部分参会师生合影
学校30余名师生积极参与了本次论坛的交流研讨活动。他们认真汲取各位专家的宝贵科研经验与创新智慧，为提升学校在功率器件和射频领域的学术影响力，促进学校电子信息类相关学科科技创新与人才培养注入了新的动力。
据悉，本届年会以“e创未来”为主题，涵盖2场主论坛、近百场专题活动，邀请两院院士领衔的上千位行业专家聚焦电子信息产业热点与技术难点进行研讨交流，搭建了政产学研用金深度融合平台，推动前沿技术与产业需求双向奔赴。
